PRAM blir det nye ordet for minne etter teknologidirektør Justin Rattners demonstrasjon på Intels utviklerkonferanse i Beijing tirsdag. Teknologidirektør Justin Rattner som vil demonstrere PRAM på tirsdag i Beijing setter spørsmål om det vil et nytt nivå i lagringshierarkiet.

Dagens minne består av to typer, dynamisk og statisk. Til første kategori hører DRAM (Dynamic Random Access Memory). Til andre hører de dyre EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory) og Flash.

Flash leveres i to typer NOR og NAND, hvor den ene er rask og den andre har større lagringskapasitet.

PRAM (Phase-Changed Random Access Memory) tilhører den statiske typen minne hvor dataene fortsatt er lagret etter at strømmen er slått av. Det gir et langsommere og mer kostbart minne enn DRAM hvor dataene blir borte med strømmen. I første omgang antas det derfor PRAM å overta for flash.

"Vi vurderer faseforandring som veldig lovende og ser frem til å starte produksjon i andre halvår, sier Justin Rattner", teknologidirektør i Intel.

PRAM har raskere hastigheter på les og skriv enn flash og vil derfor i første omgang erstatte flash.

Både Intel og en rekke andre selskaper vurderer at etterspørselen etter PRAM vil sørge for et betydelig volum og kraftig nedgang i kostnadsnivået.

I forbindelse med avanserte mobile apparater og den nye typen platelagre for pc-er vil PRAM kunne akselerere tilgangstiden til programvare og data.

PRAM i kombinasjon med platelagre ser Intel på som en god løsning for å øke hastigheten til oppstart av eksempelvis operativsystemet ved å fordele data og programvare på PRAM og på platelageret.

PRAM er basert på hva som betegnes ”chalcogenide glass” som kan endre tilstand ved hjelp av varme avgitt av strøm. Varmen endrer glasset til enten å være krystalinsk (ordnet) eller amorft (uordnet) hvilket gir mulighet for 1 og 0.

Det settes spørsmål om PRAM kan bli oppbrukt på samme måte som flash blir det ved aktiv bruk.

Men Intel er ikke fornøyd nok med det foreløpige bruksområdet.

"Vi må vurdere om PRAM kan erstatte DRAM. Det kan virke som PRAM har tilfredstillende ytelse", fremholder Justin Rattner.

Selv om PRAM kan erstatte DRAM er det ikke sikkert at det vil la seg gjøre. Det foregår hele tiden utvikling av DRAM og kostnadsutviklingen for PRAM er usikker. Det er derfor mulig at PRAM vil inngå som et nytt nivå i lagringshierarkiet fra bufrene på prosessorene til magnetbåndet.

Via idg.no.

Nytt [12:00]